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查看完整版本 : 斷電資料不消失 飛思卡爾新記憶體飆速度


哈啦
2006-07-11, 02:31 PM
【編譯陳家齊/綜合十日電】

飛思卡爾半導體公司(Freescale)率先銷售一種新型記憶體,綜合傳統記憶體的高速優點與硬碟的儲存能力,希望藉此打入規模480億美元的記憶體市場。

這種名為磁阻隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random-Access Memory,MRAM)的技術,可說是半導體業界十多年來追求的目標。MRAM以磁極儲存資料,斷電後依舊可以保存資料,除擁有硬碟、快閃記憶體(Flash RAM)的非揮發性(non-volatile)儲存特性,也有超越動態隨存記憶體(DRAM)的高速。

飛思卡爾10日宣布,這兩個月來已經在亞利桑納州的工廠量產容量4MB的MRAM晶片,每片建議售價為25美元,並且已經收到訂單,但飛思卡爾對買家名單保密。摩托羅拉公司(Motorola)的半導體部門在2004年獨立出來,成立飛思卡爾。

IBM、英飛凌(Infeneon)、台積電、霍尼韋爾(Honeywell )、東芝、NEC、三星與瑞薩半導體(Renesas)等廠商都在研發這項技術,IBM與英飛凌的聯合團隊在2004年試產16MB 的MRAM,台積電在2004年成功試產1MB。美光科技(Micron )、柏士半導體(Cypress)則先後退出競賽。分析師表示,研發MRAM的廠商多半對商業化時程低調以對,飛思卡爾此次商業化量產宣示,可望吸引更多廠商跟進。

MRAM被認為有潛力取代現行的DARM、SRAM以及Flash,其耐用特性初期在汽車、航太方面擁有優勢,例如應用在飛航記錄器(俗稱黑盒子)。MRAM容量未來若能進一步突破,瞬間開機的電腦將不再是難事,低耗電對於行動裝置尤其有利。

但目前而言,MRAM依舊無法與主流記憶體競爭。以DRAM來說,512MB容量的晶片只需5美元,價格遠低於MRAM。飛思卡爾不打算量產MRAM以和DRAM競爭,目標放在嵌入式系統應用,不過願意授權其他廠商量產。

【2006/07/11 經濟日報】